具有單側(cè)接觸的半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110009090.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102315160B 公開（公告）日 2015-11-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN102315160B 申請(qǐng)公布日 2015-11-25
分類號(hào) H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金裕松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭放;張文
地址 韓國(guó)京畿道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：通過刻蝕襯底形成多個(gè)第一溝槽；形成覆蓋每個(gè)第一溝槽的兩個(gè)側(cè)壁的第一間隔件；通過刻蝕每個(gè)第一溝槽的底部形成多個(gè)第二溝槽；形成覆蓋每個(gè)第二溝槽的兩個(gè)側(cè)壁的第二間隔件；通過刻蝕每個(gè)第二溝槽的底部形成多個(gè)第三溝槽；形成覆蓋多個(gè)襯底的暴露出的表面的絕緣層；以及通過選擇性地去除第二間隔件形成暴露出每個(gè)第二溝槽的一個(gè)側(cè)壁的接觸。