離子注入和等離子體沉積設(shè)備以及采用等離子體處理薄膜的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010510359.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101956171A 公開（公告）日 2011-01-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN101956171A 申請(qǐng)公布日 2011-01-26
分類號(hào) C23C14/46(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 謝新林;楊念群 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市信諾泰創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)（有限合伙）
代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 萬(wàn)學(xué)堂;曾海艷
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道海王大廈住宅樓26B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種離子注入和等離子體沉積設(shè)備，該設(shè)備包括離子源和真空室，其中，所述真空室壁上包括設(shè)置有抽真空口以及用于與所述離子源連通的開口；所述真空室內(nèi)包括設(shè)置有放卷輥、冷卻部件、收卷輥；所述冷卻部件由至少所述1根冷卻輥組成，所述冷卻輥、所述放卷輥和所述收卷輥都相互平行，并且所述冷卻輥的軸向與所述等離子體進(jìn)入所述真空室的方向垂直；所述冷卻輥與所述開口在水平高度上一一對(duì)應(yīng)，或者所述開口與所述冷卻輥在左右方向或者前后方向上一一對(duì)應(yīng)；或者所述冷卻輥相對(duì)應(yīng)地位于所述開口的正下方或者正上方。本發(fā)明還提供了一種采用等離子體處理的方法。本發(fā)明提供的設(shè)備能夠?qū)Ρ∧みM(jìn)行連續(xù)的等離子體沉積和/或離子注入操作。