一種HTCC雙波束瓦片式氣密SIP模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210505953.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114614275A 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN114614275A 申請公布日 2022-06-10
分類號 H01Q23/00（2006.01）I;H01Q21/06（2006.01）I;H01Q3/26（2006.01）I;H01Q1/50（2006.01）I;H01Q1/22（2006.01）I;H01P5/08（2006.01）I;H01R4/02（2006.01）I;H01R12/71（2011.01）I;H05K1/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔玉波;曹磊;袁向秋 申請（專利權(quán)）人 成都銳芯盛通電子科技有限公司
代理機構(gòu) 成都厚為專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）科新路6號1棟1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種HTCC雙波束瓦片式氣密SIP模塊，包括SIP載板、HTCC基板和SIP蓋板，SIP載板與HTCC基板的底面連接，SIP蓋板與HTCC基板的頂面連接，HTCC基板的頂面上設置有多個第一單元和多個雙波束多功能芯片單元，第一單元包括四個第一射頻連接器，第一射頻連接器的第一端用于與SIP模塊外部的天線單元連接，第一單元內(nèi)的四個第一射頻連接器在HTCC基板的頂面上排列構(gòu)成第一矩形，第一矩形圍設的區(qū)域內(nèi)均設有一個雙波束多功能芯片單元，多個第一單元排列構(gòu)成矩形陣列。本發(fā)明實現(xiàn)了高集成度的基于HTCC的雙波束瓦片式氣密SIP模塊。