鐵電隨機存取存儲器只讀存儲器字線架構(gòu)及上電復(fù)位方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010611460.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111833932B 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN111833932B 申請公布日 2022-06-28
分類號 G11C11/22（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 潘鋒 申請（專利權(quán)）人 無錫拍字節(jié)科技有限公司
代理機構(gòu) 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路8號東莊電力電子科技園金帛座502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實施例涉及隨機存取存儲器（RAM）電路配置的架構(gòu)。例如，某些實施例涉及鐵電RAM（FRAM）只讀存儲器（ROM）字線架構(gòu)。一種用于對存儲器進行上電復(fù)位的方法可以包括使存儲器上電。該方法還可以包括：讀取存儲器的第一配置字線的第一位中的第一標(biāo)志，其中第一配置字線是多個冗余配置字線之一。該方法還可以包括：當(dāng)?shù)谝粯?biāo)志指示第一配置字線為有效時，讀取該字線的預(yù)定數(shù)目的字節(jié)。該方法附加地可以包括：當(dāng)?shù)谝粯?biāo)志指示第一配置字線為有效時，基于所述預(yù)定數(shù)目的字節(jié)配置存儲器的操作。