一種存儲器件的制造方法及其電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010870280.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111968980B 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN111968980B 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L27/11507（2017.01）I;H01L27/11514（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;陶謙;劉藩東;夏季 申請（專利權(quán)）人 無錫拍字節(jié)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張東梅
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路8號東莊電力電子科技園金帛座502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種存儲器件的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括電容器導(dǎo)電柱、位線導(dǎo)電柱以及導(dǎo)電柱之間的第一介質(zhì)層；形成第一位線導(dǎo)電插塞，所述第一位線導(dǎo)電插塞包括與所述位線導(dǎo)電柱電連接的金屬導(dǎo)電柱以及金屬導(dǎo)電柱之間的第二介質(zhì)層；依次形成第三介質(zhì)層和硬掩模層；通過光刻和刻蝕工藝使硬掩模層圖案化，并以圖案化后的硬掩模層作為掩模進(jìn)行刻蝕，在第二介質(zhì)層和第三介質(zhì)層中形成深孔，然后去除硬掩模層，所述深孔的底部暴露出所述電容器導(dǎo)電柱；形成第一電極層；形成高K鐵電氧化物層和第二電極層；形成金屬互連及板線和位線。