一種FCOB存儲(chǔ)器件的制造方法及其電容器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010871391.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111968981B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-12-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111968981B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
分類號(hào) | H01L27/11507;H01L27/11514 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 華文宇;陶謙;劉藩東;夏季 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 無(wú)錫拍字節(jié)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 張東梅 |
地址 | 214135 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)弘毅路8號(hào)東莊電力電子科技園金帛座502 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器件的制造方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,在半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層,在第一介質(zhì)層形成導(dǎo)電柱,在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層,在第二介質(zhì)層形成導(dǎo)電互連和金屬位線,在第二介質(zhì)層上形成第三介質(zhì)層,在第三介質(zhì)層形成電容器接觸盤,在第三介質(zhì)層上形成第四介質(zhì)層,在第四介質(zhì)層形成鐵電電容器,在第四介質(zhì)層上形成第五介質(zhì)層,在第五介質(zhì)層形成于電容器上電極連接的金屬板線。 |
