具有反向隔離槽的毫米波肖特基二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110623108.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113345953A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113345953A 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李晉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門(mén)芯辰微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王占華
地址 361012福建省廈門(mén)市中國(guó)（福建）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)廈門(mén)片區(qū)港中路1694號(hào)萬(wàn)翔國(guó)際商務(wù)中心2號(hào)樓南樓604
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有反向隔離槽的毫米波肖特基二極管，涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。所述二極管包括半絕緣襯底層，所述半絕緣襯底層上表面的中部形成有鈍化層，鈍化層的左右兩側(cè)分別形成有重?fù)诫sGaAs層，左右兩側(cè)的所述重?fù)诫sGaAs層上內(nèi)嵌有歐姆接觸金屬層，所述歐姆接觸金屬層的上表面高于所述重?fù)诫sGaAs層的上表面，不具有歐姆接觸金屬層的重?fù)诫sGaAs層的上表面形成有低摻雜GaAs層，左側(cè)的所述重?fù)诫sGaAs層以及低摻雜GaAs層與對(duì)應(yīng)的右側(cè)的重?fù)诫sGaAs層以及低摻雜GaAs層之間的距離從下到上逐漸減小，使得在二極管的中間形成正八字型的隔離槽結(jié)構(gòu)。所述二極管可有效的降低二極管在高頻工作時(shí)候的電容寄生效應(yīng)。