一種三維MIM電容器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010651339.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111933622A 公開（公告）日 2020-11-13
申請公布號 CN111933622A 申請公布日 2020-11-13
分類號 H01L23/64(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒思月;張繼華;方針;高莉彬;陳宏偉;王文君;蔡星周;穆俊宏 申請（專利權(quán)）人 成都邁科科技有限公司
代理機構(gòu) 電子科技大學(xué)專利中心 代理人 電子科技大學(xué);成都邁科科技有限公司
地址 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種三維MIM電容器的制備方法，屬于電容器技術(shù)領(lǐng)域。該三維MIM電容器包括三維多孔金屬底電極，以及形成于三維多孔金屬底電極的孔隙和表面的全致密絕緣介層，形成于全致密絕緣介層之上的金屬頂電極；其中，金屬底電極中三維多孔的孔徑范圍為1μm～5μm。首先通過陽極氧化制備出多孔金屬基底，然后通過高溫氧化在金屬基底表面制備得到絕緣介質(zhì)層，最后通過磁控濺射在絕緣介質(zhì)層表面制備頂電極。本發(fā)明方法簡單，成本低廉，得到的多孔金屬基底比表面積增大，有效的提升了MIM電容器的性能。??