一種多層堆疊高寬帶存儲器的封裝方法及封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111496045.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114203564A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203564A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜茂華 申請（專利權）人 通富微電子股份有限公司
代理機構 北京中知法苑知識產權代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽
地址 226004江蘇省南通市崇川路288號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多層堆疊高寬帶存儲器的封裝方法及封裝結構，該方法包括：分別提供緩沖芯片以及多組存儲器芯片，每組存儲器芯片均包括第一存儲器芯片和第二存儲器芯片；其中，緩沖芯片設置有多個第一導電通孔，第一存儲器芯片和第二存儲器芯片均設置有與多個第一導電通孔相對應的多個第二導電通孔；分別將每組存儲器芯片中的第一存儲器芯片與第二存儲器芯片進行混合鍵合，形成多個存儲器微模組；依次將多個所述存儲器微模組絕緣堆疊設置在緩沖芯片上；形成塑封層，塑封層包裹多個存儲器微模組和緩沖芯片。采用雙芯片進行混合鍵合構成存儲器微模組，可以實現超多層芯片堆疊，提高生產效率，實現鍵合高度下降，芯片層數大大增加，容量增加。