一種多層堆疊存儲器封裝方法及封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111494369.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114203563A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203563A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/56（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜茂華;吳明敏 申請（專利權）人 通富微電子股份有限公司
代理機構 北京中知法苑知識產權代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽
地址 226004江蘇省南通市崇川路288號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種多層堆疊存儲器封裝方法及封裝結構，該方法包括：提供緩沖芯片、多個假片和多個第一存儲器芯片，假片設置有槽體，緩沖芯片設置有多個第一導電通孔，第一存儲器芯片設置有與多個第一導電通孔相對應的多個第二導電通孔；分別將每個第一存儲器芯片固定在對應的假片的槽體內，形成多個存儲器微模組；將多個存儲器微模組依次混合鍵合堆疊在緩沖芯片上，存儲器微模組在緩沖芯片上的正投影與緩沖芯片重合。本方法通過假片將兩種不同尺寸的第一存儲器芯片和緩沖芯片調整為同一尺寸，即存儲器微模組與緩沖芯片尺寸相同，可實現(xiàn)晶圓級混合鍵合，實現(xiàn)可量產性，產出率高。每相鄰兩個存儲器微模組間混合鍵合，在同等密度下，提高數據吞吐量。