多層堆疊存儲(chǔ)器及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111493913.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114203568A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203568A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L21/60（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜茂華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 通富微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中知法苑知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李明;趙吉陽(yáng)
地址 226004江蘇省南通市崇川路288號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多層堆疊存儲(chǔ)器及制作方法，所述多層堆疊存儲(chǔ)器制作方法包括以下步驟：準(zhǔn)備存儲(chǔ)芯片和基板，使用熱壓鍵合的方式將存儲(chǔ)芯片通過(guò)微凸點(diǎn)焊接堆疊在基板上；將另一層存儲(chǔ)芯片通過(guò)微凸點(diǎn)焊接堆疊在上一層存儲(chǔ)芯片上，形成堆疊模塊；在所述基板與存儲(chǔ)芯片之間、以及上下相鄰的存儲(chǔ)芯片之間均充滿塑封料或底充膠，對(duì)所述堆疊模塊進(jìn)行塑封；將塑封后的堆疊模塊分割成獨(dú)立封裝。本發(fā)明提供的多層堆疊存儲(chǔ)器制作方法可以有效降低多層堆疊存儲(chǔ)器的生產(chǎn)成本。