扇出式堆疊芯片的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111496036.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114203690A | 公開(公告)日 | 2022-03-18 |
申請公布號 | CN114203690A | 申請公布日 | 2022-03-18 |
分類號 | H01L25/18(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 杜茂華 | 申請(專利權(quán))人 | 通富微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李明;趙吉陽 |
地址 | 226004江蘇省南通市崇川路288號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種扇出式堆疊芯片的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu),該方法包括:將第一芯片固定在假片上的槽體內(nèi),第一芯片和假片均設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電通孔;將第二芯片分別與假片和第一芯片進(jìn)行混合鍵合,第二芯片在假片上的正投影與假片重合;形成塑封層,塑封層包裹第一芯片、假片和第二芯片;在假片和第一芯片背離第二芯片的表面形成重布線層,重布線層通過導(dǎo)電通孔與第一芯片電連接。本發(fā)明通過假片將不同尺寸的第一芯片和第二芯片調(diào)整為同一尺寸,然后進(jìn)行晶圓級混合鍵合,實(shí)現(xiàn)高密度互連的同時(shí)提高生產(chǎn)效率。而導(dǎo)電通孔技術(shù)和扇出式重布線技術(shù)降低了封裝尺寸,此外由于芯片與芯片之間采用直接晶圓鍵合,實(shí)現(xiàn)了超薄的多層高密度堆疊封裝。 |
