一種高集成度的硅光芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111091354.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113805270A 公開（公告）日 2021-12-17
申請公布號 CN113805270A 申請公布日 2021-12-17
分類號 G02B6/12（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 程進;孫濤;于讓塵;潘棟 申請（專利權(quán)）人 希烽光電科技（南京）有限公司
代理機構(gòu) 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長明;許偉群
地址 211800江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號創(chuàng)智大廈B座611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N高集成度的硅光芯片，通過分路器與雪崩光電二極管接收器的配合，可以有效減少激光器的數(shù)量。具體的，通過分路器可以將較少數(shù)量的激光器發(fā)射的直流激光拆分為更多的光路，以使拆分后得到的光路的數(shù)量符合硅光芯片要求的光路數(shù)量，同時，即使經(jīng)過分路器拆分后得到的光路的功率值較低，這些光路通過硅光調(diào)制器得到的調(diào)制后的光信號的功率值較低，也可以采用具有較高增益的光電二極管接收器準確識別和捕獲這些功率值較低的調(diào)制后的光信號，而且，分路器和光電二極管接收器都可以集成在硅基襯底上，由此，可以有效提高硅光芯片的集成度。