波導(dǎo)集成雪崩光電二極管
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911241096.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110880539A | 公開(公告)日 | 2021-09-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110880539A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
分類號(hào) | H01L31/0232;H01L31/107 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃夢(mèng)園;蘇宗一;邱德煌;李左璽;洪菁吟;潘棟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 希烽光電科技(南京)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京京萬(wàn)通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許天易 |
地址 | 210043 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路17號(hào)創(chuàng)智大廈B座611室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了單片雪崩光電二極管(APD)的各種實(shí)施例,其可以被制造在絕緣體上硅襯底上。單片APD包括將入射光引導(dǎo)到APD的有源區(qū)域的光波導(dǎo)。光耦合器與光波導(dǎo)一體形成以捕獲入射光。單片APD還包括光反射器,以將不容易被光耦合器捕獲的入射光的一部分反射到光耦合器以進(jìn)一步捕獲。有源區(qū)域包括用于將入射光轉(zhuǎn)換成電子?空穴對(duì)的吸收層、用于通過(guò)雪崩倍增將電子?空穴對(duì)放大成光電流的外延結(jié)構(gòu)、以及用于傳導(dǎo)光電流的一對(duì)電導(dǎo)體。 |
