一種提升熱釋電晶圓等離子體激活均勻性的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011358667.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112490346A | 公開（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112490346A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號(hào) | H01L37/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 歐欣;陳陽;黃凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海新微科技集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址 | 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)5號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種提升熱釋電晶圓等離子體激活均勻性的方法，包括：通過多次等離子體激活法對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活；所述對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活的總時(shí)長(zhǎng)為10秒至60秒，每次所述對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活的時(shí)間為2秒至10秒，每相鄰兩次所述對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活的時(shí)間間隔為2秒至10秒；所述對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活的功率為25瓦至300瓦。通過多次等離子體激活法對(duì)熱釋電晶圓表面進(jìn)行激活，并預(yù)設(shè)激活時(shí)間、時(shí)間間隔和激活功率；從而中斷連續(xù)激活過程中的正反饋惡性循環(huán)，即采用多次短時(shí)間等離子體激活的方式，釋放表面積累的電荷，提高等離子體激活的均勻性。?? |
