一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜襯底的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011334127.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112467024A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112467024A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-09 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L41/312(2013.01)I;H01L41/22(2013.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃凱;歐欣;趙曉蒙 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海新微科技集團(tuán)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址 | 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)5號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域，本發(fā)明公開(kāi)了一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜襯底的制備方法。該制備方法的具體步驟如下：提供臨時(shí)鍵合連接的第一壓電襯底和第二壓電襯底，該第一壓電襯底設(shè)于該第二壓電襯底上；向該第一壓電襯底進(jìn)行離子注入，經(jīng)過(guò)離子注入后的第一壓電襯底與支撐襯底鍵合，得到異質(zhì)結(jié)構(gòu)襯底；對(duì)該異質(zhì)結(jié)構(gòu)襯底進(jìn)行解鍵合、退火、剝離轉(zhuǎn)移和后處理，得到異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜襯底。本發(fā)明提供的異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜襯底的制備方法具有降低離子注入后的壓電襯底的形變和異質(zhì)鍵合結(jié)構(gòu)退火熱應(yīng)力的特點(diǎn)。?? |
