一種鍵合結(jié)構(gòu)中的薄膜晶圓和剩余晶圓的分離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011323060.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112420512A 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN112420512A 申請公布日 2021-02-26
分類號 H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐欣;陳陽;黃凱 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技集團有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 200050上海市長寧區(qū)長寧路865號5號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種鍵合結(jié)構(gòu)中的薄膜晶圓和剩余晶圓的分離方法，包括：獲取包括第一晶圓和第二晶圓，注入離子到第二晶圓，從而在第二晶圓的內(nèi)部形成缺陷層；沿第二晶圓的注入面與第一晶圓進行鍵合，形成鍵合結(jié)構(gòu)；將鍵合結(jié)構(gòu)置于晶圓花籃中，第一晶圓位于第二晶圓的上方；未鍵合區(qū)域由晶圓花籃的懸臂支撐，第二晶圓中與未鍵合區(qū)域同側(cè)的一端依靠與第一晶圓的鍵合力懸空，鍵合結(jié)構(gòu)中與未鍵合區(qū)域相對的一端由晶圓花籃的卡槽支撐；將晶圓花籃和鍵合結(jié)構(gòu)進行整體退火處理；鍵合結(jié)構(gòu)沿第二晶圓的缺陷層所在的位置完成薄膜晶圓和剩余晶圓的分離。本申請涉及的分離方法避免了第一晶圓和第二晶圓之間的相對滑動對薄膜晶圓表面的損傷，從而提高了產(chǎn)品的質(zhì)量與良率。??