電源鉗位ESD保護(hù)電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710600942.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN109286181A | 公開(公告)日 | 2019-01-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109286181A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-29 |
分類號(hào) | H02H9/04 | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 李威;李小勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海韋玏微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 上海韋玏微電子有限公司;上海料聚微電子有限公司;蘇州瀚宸科技有限公司 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)龍東大道3000號(hào)4號(hào)樓406室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種電源鉗位ESD保護(hù)電路,所述電源鉗位ESD保護(hù)電路包含:觸發(fā)模塊和泄放模塊;泄放模塊包括泄放晶體管單元,泄放晶體管單元包含第一NMOS晶體管和開關(guān)模塊;觸發(fā)模塊包含觸發(fā)單元,所述觸發(fā)單元包含電壓輸出端,所述電壓輸出端與所述第一NMOS晶體管的柵極連接,用于控制所述第一NMOS晶體管的導(dǎo)通或截止;開關(guān)模塊用于在接地端的電平高于電源端的電平時(shí)導(dǎo)通,以將第一NMOS晶體管的柵極與源極短接。本發(fā)明使用較低的成本,對(duì)用于ESD保護(hù)的電源鉗位電路進(jìn)行改進(jìn),在負(fù)向靜電釋放中也能產(chǎn)生較強(qiáng)的電荷釋放通路,起到完善的ESD保護(hù)功能。 |
