一種高質量自支撐GaN襯底的制備方法及生長結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910951222.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110707002B 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN110707002B 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐俞;王建峰;徐科 申請（專利權）人 蘇州納維科技有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高質量自支撐GaN襯底的制備方法，包括以下步驟：提供二維材料基板；在二維材料基板表面生長AlN柱，形成位于二維材料基板上的AlN柱層；在AlN柱層上生長GaN厚膜；通過機械剝離的方式去除二維材料基板；通過研磨拋光處理的方法去除AlN柱層，并獲得平整的GaN厚膜，該GaN厚膜即為自支撐GaN襯底。該方法可以利用在二維材料基板上進行外延生長時較低的成核密度，先在二維材料基板上高溫生長AlN柱，再利用GaN側向合并能力強的特點，以降低缺陷密度，在AlN柱上再生長GaN厚膜，以提高最終獲得的自支撐氮化物襯底的晶體質量。