可分離多層GaN襯底及其制作方法、半導(dǎo)體芯片制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111479532.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113889528A 公開（公告）日 2022-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN113889528A 申請(qǐng)公布日 2022-01-04
分類號(hào) H01L29/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B33/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐琳;蘇克勇;陳吉湖;聶恒亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州納維科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州鈐韜知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙杰香;金丹丹
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20幢518室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可分離的多層GaN襯底，至少包括三層結(jié)構(gòu)，其中包括GaN基層，位于該GaN基層上的氮化物犧牲層，位于該氮化物犧牲層上的GaN功能層，其中所述GaN功能層上設(shè)有開窗，所述開窗內(nèi)設(shè)有金屬電極，所述金屬電極歐姆接觸在所述氮化物犧牲層上，這樣可以有效改善化學(xué)腐蝕氮化物犧牲層時(shí)GaN基層出現(xiàn)裂紋的情況，并且對(duì)器件壽命具有有效延長。本發(fā)明可以通過去除氮化物犧牲層，將GaN基層和功能層分離，分離后的GaN基層可以反復(fù)利用，極大地降低了GaN器件的制作成本。