氮化鎵外延層及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111427485.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114121611A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121611A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/205（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐琳 申請（專利權(quán)）人 蘇州納維科技有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 王鋒
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢518室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵外延層及其形成方法。所述氮化鎵外延層的形成方法包括：在同一反應(yīng)腔室內(nèi)，先在加熱條件下以氫氣對氮化鎵襯底表面進行清潔處理，之后以惰性氣體等離子體轟擊所述氮化鎵襯底表面；其后，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)，繼續(xù)在所述氮化鎵襯底表面生長形成氮化鎵成核層，再在所述氮化鎵成核層上生長形成致密氮化鎵層，最后在所述致密氮化鎵層上生長形成氮化鎵外延層。本發(fā)明可以大幅節(jié)約氮化鎵外延層的成膜時間，提高其生產(chǎn)效率，并杜絕氮化鎵襯底轉(zhuǎn)移過程中的污染，而且可以獲得高質(zhì)量的氮化鎵外延層，利于氮化鎵材料的大規(guī)模生產(chǎn)和推廣應(yīng)用。