可分離多層GaN襯底及其分離方法、半導(dǎo)體芯片制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111482182.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114334607A 公開（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114334607A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 聶恒亮;徐琳;蘇克勇;陳吉湖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州納維科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州鈐韜知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙杰香;金丹丹
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20幢518室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可分離多層GaN襯底的分離方法，將可分離多層GaN襯底浸入腐蝕液中，使氮化物犧牲層浸沒于所述腐蝕液中；提供一光源，該光源向可分離多層GaN襯底照射一光束，所述光束透過所述GaN基層在所述氮化物犧牲層上形成光斑；移動(dòng)光斑，使得該光斑的移動(dòng)軌跡滿足從所述氮化物犧牲層的邊緣往中心靠攏；其中，所述光源的光具有大于所述氮化物犧牲層帶隙并小于所述GaN基層和GaN功能層帶隙的能量，且所述光斑的移動(dòng)速度滿足被該光斑照射的氮化物犧牲層區(qū)域能被所述腐蝕液腐蝕。分離后的GaN基層可以反復(fù)利用，極大地降低了GaN器件的制作成本。