一種共用金屬源的HVPE裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122845238.2 申請日 -
公開（公告）號 CN216639708U 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN216639708U 申請公布日 2022-05-31
分類號 C30B25/14（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙毛毛;徐琳;金超 申請（專利權）人 蘇州納維科技有限公司
代理機構 蘇州友佳知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢518室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種共用金屬源的HVPE裝置，包括氣源室和若干個生長室，氣源室和生長室之間設置可加熱的第一輸運管道；氣源室包括第一加熱裝置、進氣管道、以及金屬承載舟；生長室包括第二加熱裝置，用于承載襯底的可旋轉支撐件，以及第二輸運管道；氣源室內(nèi)生成的金屬前驅物氣體經(jīng)第一輸運管道輸送至生長室。通過將氣源室與生長室分離，實現(xiàn)一個氣源室同時連若干個生長室，提高生產(chǎn)效率；另外，將輸送源氣體的第二輸運管道設置在生長室而不經(jīng)過氣源室，避免金屬前驅物氣體與源氣體的反應生成物在氣源室內(nèi)壁沉積的不良效果，提高生長室內(nèi)的源氣體濃度，從而獲得高質(zhì)量的半導體外延層。