氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121751342.9 申請日 -
公開（公告）號 CN215481424U 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN215481424U 申請公布日 2022-01-11
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 蔡德敏;徐琳;張波;沈振華 申請（專利權）人 蘇州納維科技有限公司
代理機構 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 趙世發(fā)
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢518室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種氫化物氣相外延法生長III?V族化合物單晶的設備，包括：HVPE反應腔室，具有沿預設方向依次連通設置的第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域，第一區(qū)域可供III族元素源與氮源反應生成III族氮化物單晶、氫氣和鹵素氫化物，第二區(qū)域可供III族元素源與氫氣反應生成III族元素單質(zhì)和鹵素氫化物；第三區(qū)域可供氮源與鹵素氫化物反應生成銨鹽；加熱裝置，用于分別對所述第一、第二和第三區(qū)域進行加熱；氮源和III族元素源供給機構，所述氮源和III族元素源供給機構與HVPE反應腔室連接。所述設備提高了III族氮化物單晶的產(chǎn)量和純度，并能回收III族元素單質(zhì)，降低了III族氮化物單晶的制備成本。