一種SiGe工藝信號放大器尾電流偏置電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011210745.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112230702A 公開（公告）日 2021-01-15
申請公布號 CN112230702A 申請公布日 2021-01-15
分類號 G05F1/56(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 趙欣 申請（專利權）人 成都天朗電子科技有限公司
代理機構 成都君合集專利代理事務所（普通合伙） 代理人 成都天朗電子科技有限公司
地址 610200四川省成都市自由貿(mào)易試驗區(qū)成都市雙流區(qū)公興街道綜保大道一段11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種SiGe工藝信號放大器尾電流偏置電路，偏置電流源輸出偏置電流的端口連接到三極管Q1的集電極，所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R1后接地，所述三極管Q1的基極連接到三極管Q2的基極，三極管Q2的發(fā)射極通過電阻R2后和電阻R1接地端共地，所述三極管Q1基極還通過電容C1后和電阻R2、電阻R1接地端共地；三極管Q2集電極分別連接到兩個三極管Q3、Q4的發(fā)射極，所述三極管Q3的集電極通過電阻R3后連接電源，所述三極管Q4的集電極通過電阻R4后連接電源，三極管Q3和Q4的基極分別連接一個差分信號輸入；所述三極管Q1的集電極通過一個DNW CMOS模塊連接到三極管Q1的基極。??