一種超低功耗施密特觸發(fā)器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110044892.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112865755B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN112865755B 申請公布日 2021-08-24
分類號 H03K3/012（2006.01）I;H03K3/3565（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 史良俊;袁敏民;毛成烈;孫思兵 申請（專利權(quán)）人 無錫力芯微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 無錫知更鳥知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張濤
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)新輝環(huán)路8號無錫力芯微電子有限公司設(shè)計部
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的超低功耗施密特觸發(fā)器包括第一PMOS管、電流源、第一倒相器、第二倒相器和電平轉(zhuǎn)換電路。第一倒相器和第二倒相器的工作或者靜態(tài)電流的上限由電流源的工作電流決定，因此通過控制偏置電壓，能夠使第一倒相器和第二倒相器的工作電流很小。電平轉(zhuǎn)換電路處于正反饋的工作狀態(tài)，其正反饋的工作狀態(tài)使其沒有長時間的中間狀態(tài)，因此其只會在輸出信號跳變的瞬間出現(xiàn)一定電流，其他時間接近于零功耗。第二PMOS管起到正反饋的作用，對第一倒相器的輸出進行加速。第一PMOS管有提升本電路的ESD耐壓的效果。