電可擦可編程只讀存儲器結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210093908.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102623057B 公開（公告）日 2018-01-26
申請公布號 CN102623057B 申請公布日 2018-01-26
分類號 G11C16/06 分類 信息存儲;
發(fā)明人 顧靖 申請（專利權(quán)）人 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
地址 201203 上海市張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種電可擦可編程只讀存儲器結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器結(jié)構(gòu)，其包括：在行方向和列方向布置的存儲單元結(jié)構(gòu)矩陣；其中，同一列的存儲單元結(jié)構(gòu)的源極和漏極通過第一金屬層依次連接；并且其中，同一行的存儲單元結(jié)構(gòu)的字線以及同一行的存儲單元結(jié)構(gòu)的控制柵極分別通過第二金屬層連接在一起；其中，通過填充了導(dǎo)電材料的接觸孔將存儲單元結(jié)構(gòu)的有源區(qū)接連至第一金屬層；并且，所述填充了導(dǎo)電材料的接觸孔在存儲單元結(jié)構(gòu)矩陣的行方向和列方向均交叉布置。通過利用根據(jù)本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器結(jié)構(gòu)，可以有效地提高存儲器的操作速度，減小存儲器的尺寸，并且提高存儲的耐用性。