EEPROM存儲(chǔ)單元以及EEPROM存儲(chǔ)器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210143432.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102682845B | 公開(公告)日 | 2018-10-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102682845B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-10-16 |
分類號(hào) | G11C16/06 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 楊光軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
地址 | 201203 上海市張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種EEPROM存儲(chǔ)單元以及EEPROM存儲(chǔ)器。根據(jù)本發(fā)明的EEPROM存儲(chǔ)單元包括:主存儲(chǔ)器件、次存儲(chǔ)器件、以及字線控制器件;其中主存儲(chǔ)器件的源極連接至EEPROM存儲(chǔ)單元的主位線、主存儲(chǔ)器件的漏極連接至字線控制器件的源極,字線控制器件的漏極連接至次存儲(chǔ)器件的源極,次存儲(chǔ)器件的漏極連接至EEPROM存儲(chǔ)單元的次位線。主存儲(chǔ)器件的柵極作為主控制柵極,次存儲(chǔ)器件的柵極作為次控制柵極,字線控制器件的柵極連接EEPROM存儲(chǔ)單元的字線。只使用次存儲(chǔ)器件和主存儲(chǔ)器件中的一個(gè),并且次存儲(chǔ)器件和主存儲(chǔ)器件中的另一個(gè)存儲(chǔ)器件則作為備用單元。次存儲(chǔ)器件和主存儲(chǔ)器件被一起擦除。 |
