自對準(zhǔn)閃存中的浮柵結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110341960.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102394243B 公開（公告）日 2018-01-26
申請公布號 CN102394243B 申請公布日 2018-01-26
分類號 H01L29/423;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張雄 申請（專利權(quán)）人 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
地址 201203 上海市張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種自對準(zhǔn)閃存中的浮柵結(jié)構(gòu)及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)閃存中的浮柵結(jié)構(gòu)包括：襯底、布置在所述襯底上的柵極氧化層、布置在所述柵極氧化層上的未摻雜多晶硅層、以及布置在所述未摻雜多晶硅層上的摻雜多晶硅層。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和方法，在修復(fù)硅蝕刻后界面的損傷的工藝的高溫制程中，未摻雜多晶硅層的氧化速度比摻雜多晶硅層慢，這樣就緩解了微笑效應(yīng)。