變頻器處理方法及裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010691083.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111814211A | 公開(公告)日 | 2020-10-23 |
申請公布號 | CN111814211A | 申請公布日 | 2020-10-23 |
分類號 | G06F21/79(2013.01)I;G06F11/07(2006.01)I | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 李永利;肖國付;曹振濤 | 申請(專利權)人 | 深圳市易驅(qū)電氣有限公司 |
代理機構 | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 薛嬌 |
地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅亭社區(qū)奧士達路4號奧士達大廈B棟四層416 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種變頻器的處理方法及裝置,其中方法應用于變頻器的主控芯片,所述主控芯片的Flash存儲區(qū)域中設置有、不小于功能碼參數(shù)對應數(shù)據(jù)量的第一存儲區(qū)域,所述方法包括:在所述變頻器工作過程中,于RAM存儲區(qū)域緩存最新功能碼參數(shù);在所述變頻器工作過程中,持續(xù)監(jiān)測所述變頻器是否發(fā)生斷電操作;若監(jiān)測到所述變頻器發(fā)生斷電操作,則將所述RAM存儲區(qū)域中所述最新功能碼參數(shù),存儲至所述Flash存儲區(qū)域的第一存儲區(qū)域中。由于主控芯片內(nèi)部由RAM存儲區(qū)域?qū)懭胫罠lash存儲區(qū)域,所以寫入速度較快,提升存儲速率。并且,本申請無需在主控芯片外部額外設置EEPROM芯片,簡化硬件結構并降低成本。?? |
