一種基于MOSFET管的高壓放電電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023348640.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214479594U 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN214479594U 申請公布日 2021-10-22
分類號 H02H9/02;H02H9/04 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 陸文興;劉坤;汪鋼;吳斌 申請（專利權(quán)）人 常州市致新精密電子有限公司
代理機構(gòu) 常州國洸專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳麗娜
地址 213000 江蘇省常州市新北區(qū)漢江西路125號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種基于MOSFET管的高壓放電電路，包括電荷輸入端HV和通斷控制單元，所述電荷輸入端HV連接限流電阻陣列Rn，同時限流電阻陣列Rn分別連接二極管D1與MOSFET管Q1的漏極。本基于MOSFET管的高壓放電電路，通過在放電回路中串聯(lián)六個或以上的MOSFET管Q，以保證在5000V高壓下，MOSFET管Q不過流，限流電阻不小于5kΩ，同時在電路中串聯(lián)兩個穩(wěn)壓管Z，以構(gòu)成合適的穩(wěn)壓幅值，因而可以根據(jù)不同的高壓環(huán)境，通過一個或者多個MOSFET管Q串聯(lián)構(gòu)成放電通路，再選擇合適的限流電阻陣列Rn，以大大提高放電效率，降低放電回路對主路的影響。