一種高透高遷移率ITO薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010951310.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112144029A 公開(kāi)（公告）日 2020-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112144029A 申請(qǐng)公布日 2020-12-29
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張悅;龐先標(biāo);劉曙光;楊榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 興儲(chǔ)世紀(jì)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 呂玲
地址 643000四川省自貢市沿灘區(qū)板倉(cāng)工業(yè)園區(qū)東環(huán)路19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于新能源新材料領(lǐng)域，尤其涉及一種ITO薄膜，具體為一種高透高遷移率ITO薄膜的制備方法。該方法包括以下步驟：S1、在襯底上生長(zhǎng)In2O3籽晶層；S2、在S1生長(zhǎng)的In2O3籽晶層上生長(zhǎng)ITO薄膜；S3、將S2中的復(fù)合薄膜進(jìn)行退火處理。本發(fā)明提供的ITO薄膜的制備方法，通過(guò)在兩步法制備ITO薄膜引入In2O3籽晶層，提高了與P型半導(dǎo)體材料的接觸特性，同時(shí)在制備過(guò)程中引入氫氣，提高了ITO薄膜透過(guò)率、與載流子遷移率，薄膜材料的性能顯著得到提高。??