一種非易失性存儲器件及其設計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710175710.8 申請日 -
公開（公告）號 CN100550428C 公開（公告）日 2009-10-14
申請公布號 CN100550428C 申請公布日 2009-10-14
分類號 H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱一明;胡洪 申請（專利權）人 北京市中關村小額貸款股份有限公司
代理機構 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 許靜
地址 100084北京市海淀區(qū)清華科技園學研大廈B座301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器件及其設計方法：包括：金屬層、接觸孔、阻擋層和晶體管，晶體管包括多晶硅層，金屬層與接觸孔形成控制柵；多晶硅層在阻擋層的阻隔下未與接觸孔直接連接而形成浮柵；其中，金屬層、接觸孔、阻擋層和多晶硅層依次連接共同形成電容結構。通過本發(fā)明大大提高了控制柵與浮柵耦合電容的電容密度，減小了存儲單元的面積，并有利于集成系統(tǒng)的金屬線連接。