一種提高單晶金剛石質(zhì)量的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111224634.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113652746A 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN113652746A 申請公布日 2021-11-16
分類號 C30B29/04（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙麗媛;甄西合;李慶利;徐悟生;張欽輝;朱逢旭;劉得順;楊春暉 申請（專利權(quán)）人 天津本鉆科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超;劉瑞華
地址 300380天津市西青區(qū)中北鎮(zhèn)星光路27號數(shù)科園研發(fā)樓102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高單晶金剛石質(zhì)量的方法，步驟包括：在生長之前，獲取生長爐內(nèi)的漏氣率，并判斷漏氣率的實(shí)測值是否在標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定區(qū)間內(nèi)，以確定在生長過程中是否通入氮?dú)浠旌蠚怏w；當(dāng)漏氣率的實(shí)測值大于最大標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)，不通入氮?dú)浠旌蠚怏w直至生長結(jié)束；當(dāng)漏氣率的實(shí)測值小于最大標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)，在生長開始時(shí)向生長爐內(nèi)通入氮?dú)浠旌蠚怏w，直至生長結(jié)束；且隨著漏氣率的實(shí)測值在小于漏氣率的最大標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)間范圍內(nèi)的降低，則通入氮?dú)浠旌蠚怏w的含量逐漸增加。本發(fā)明可根據(jù)不同的漏氣率來匹配相應(yīng)的氮?dú)浠旌蠚怏w的通入量，并可獲得單晶晶體生長機(jī)制為階梯式的金剛石，不僅多晶點(diǎn)少且表面光滑、無小丘且無缺陷。