一種微波CVD法控制多晶金剛石晶粒尺寸的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111224666.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113699588A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113699588A 申請公布日 2021-11-26
分類號 C30B28/14（2006.01）I;C30B29/04（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李慶利;甄西合;趙麗媛;徐悟生;劉暢;朱逢旭;劉得順;楊春暉 申請（專利權(quán)）人 天津本鉆科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超;劉瑞華
地址 300380天津市西青區(qū)中北鎮(zhèn)星光路27號數(shù)科園研發(fā)樓102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種微波CVD法控制多晶金剛石晶粒尺寸的生長方法，在沉積過程中，設(shè)有N組時間段，并在第一組時間段之后的每一組時間段內(nèi)連續(xù)地通入不同體積比的混合氣體；隨著時間段的增加，在第N組時間段后通入的所述混合氣體中的每一個氣體的體積比均高于在第N?1組時間段后通入的相應(yīng)氣體的體積比；且在第N組時間段后，基于所述混合氣體中每一個氣體的體積比持續(xù)通入所述混合氣體，直至生長結(jié)束。本發(fā)明通過分時間段逐步提高碳源濃度和氧氣濃度，以階梯性地提高金剛石的形核率來控制金剛石晶粒尺寸的大小，從而提升金剛石膜的質(zhì)量；同時，還可階梯地提高金剛石膜的生長速率，降低外延層的晶格缺陷，從而可減小生長應(yīng)力，獲得完整無裂紋的金剛石膜。