薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610907445.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107017287B 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN107017287B 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田中淳 申請（專利權(quán)）人 深圳市地平線進出口有限公司
代理機構(gòu) 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃志華;何月華
地址 廣東省深圳市龍華區(qū)民治街道北站社區(qū)留仙大道天馬大廈1918
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法。本發(fā)明提供一種具有低寄生電容和高可靠性的氧化物半導體薄膜晶體管。薄膜晶體管包括：基板；包括溝道區(qū)域、源極區(qū)域及漏極區(qū)域的氧化物半導體層；柵極絕緣膜；以及柵極電極。所述柵極絕緣膜包括一層或兩層，柵極絕緣膜的至少一層是位于與所述源極電極及所述漏極電極分離的位置上的圖案化柵極絕緣膜。所述圖案化柵極絕緣膜的下表面在溝道長度方向上的長度比所述柵極電極的下表面在溝道長度方向上的長度長。所述圖案化的柵極絕緣膜的下表面在溝道長度方向上的長度比所述溝道區(qū)域在溝道長度方向上的長度長。所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域的氫濃度比所述溝道區(qū)域的氫濃度高。