一種高線性度垂直腔面激光器芯片結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022090801.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213636609U 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN213636609U 申請公布日 2021-07-06
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓春霞 申請（專利權）人 武漢仟目激光有限公司
代理機構 北京匯澤知識產權代理有限公司 代理人 鄭飛
地址 430205湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)湯遜湖北路33號華工科技園·創(chuàng)新基地13棟1單元1層01號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于激光器制造技術領域，具體提供了一種高線性度垂直腔面激光器芯片結構，包括由下至上依次加工形成的襯底、N?DBR層、多量子阱層、P?DBR層、帽層、絕緣層及電極接觸層，絕緣層設有內外連接通道，內外連接通道設有金屬層，金屬層的上端面與電極層接觸，金屬層的下端面與帽層之間注入有離子注入層。在外延片清洗完成后先進行光刻工藝，將外延結構上不需要離子注入的區(qū)域用光刻膠保護，然后進行離子注入工藝，再將含有光刻膠的區(qū)域去膠，最后的工藝方法和現(xiàn)有工藝一樣。當器件處于工作狀態(tài)時載流子會被限制在離子注入的區(qū)域傳輸，不會因為刻蝕過程中過刻導致載流子的傳輸路徑發(fā)生改變，提高了產品的可靠性，延長了使用壽命。