一種防過刻的垂直腔面激光器芯片結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022090808.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213753443U 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN213753443U 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 韓春霞 申請（專利權(quán)）人 武漢仟目激光有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭飛
地址 430205湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)湯遜湖北路33號華工科技園·創(chuàng)新基地13棟1單元1層01號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體提供了一種防過刻的垂直腔面激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底，所述襯底上依次層疊有緩沖層、N型DBR層、多量子阱層、P型DBR層、AlxGaAs層及帽層，所述AlxGaAs層及帽層還設(shè)有刻蝕停止層，所述刻蝕停止層包括含砷（As）或者含磷（P）系列或者兩者的組合物。該結(jié)構(gòu)在制造過程里，在刻蝕過程中不會出現(xiàn)將P型DBR刻蝕掉一部分的情況，因此當(dāng)器件處于工作狀態(tài)時也就不會出現(xiàn)當(dāng)工作電流較大時載流子會因?yàn)闈舛冗^大出現(xiàn)載流子分布不均勻，從而從根本上提高了器件結(jié)構(gòu)性能可靠性，提升了產(chǎn)品使用壽命。