垂直腔面發(fā)射激光器以及離子注入方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110215478.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113013728A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113013728A 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類(lèi)號(hào) H01S5/183;H01S5/32 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊旭;劉哲;韓春霞;周璇;宋云菲 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 武漢仟目激光有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)湯遜湖北路33號(hào)華工科技園·創(chuàng)新基地13棟1單元1層01號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括N金屬以及位于N金屬上的襯底層，還包括生長(zhǎng)于襯底層上的功能層，功能層具有電絕緣區(qū)，電絕緣區(qū)中具有B+離子區(qū)間、He+離子區(qū)間以及H+離子區(qū)間，B+離子區(qū)間、He+離子區(qū)間以及H+離子區(qū)間沿襯底層至N金屬層的方向依次布設(shè)。還包括一種離子注入方法，用在上述的垂直腔面發(fā)射激光器的加工中，具體包括如下步驟：按順序向電絕緣去中依次注入B+離子、He+離子以及H+離子，以在電絕緣區(qū)中形成B+離子區(qū)間、He+離子區(qū)間以及H+離子區(qū)間，B+離子區(qū)間、He+離子區(qū)間以及H+離子區(qū)間沿襯底層至N金屬層的方向依次布設(shè)。本發(fā)明通過(guò)在電絕緣區(qū)中注入B+離子、He+離子以及H+離子可以確保激光器的光電性能和壽命不受影響。