太陽(yáng)電池及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610542614.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106024983B 公開（公告）日 2019-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN106024983B 申請(qǐng)公布日 2019-04-16
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0352（2006.01）I; H01L31/068（2012.01）I; H01L21/225（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉超; 劉成法; 張為國(guó); 張松; 王佩然; 陳寒; 王登峰; 蔡錦添; 夏世偉; 季海晨; 高云峰; 柳翠; 袁曉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海玻納電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 上海大族新能源科技有限公司; 上海玻納電子科技有限公司
地址 201615 上海市閔行區(qū)聯(lián)航路1369弄6號(hào)305-2室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)電池及其制作方法。該方法包括步驟：將N型硅片的第一表面進(jìn)行制絨處理，將其第二表面進(jìn)行拋光；在第二表面上形成硼源膜層，通過激光對(duì)其進(jìn)行處理，形成硼源區(qū)域和多個(gè)無硼源區(qū)域，相鄰的無硼源區(qū)域之間有間隔；將N型硅片進(jìn)行反應(yīng)，在硼源區(qū)域的位置上形成依次層疊的p+發(fā)射極區(qū)域和硼硅玻璃區(qū)域，在第一表面上形成氧化硅層；將N型硅片放入磷源擴(kuò)散爐中，在第二表面上形成n+背表面場(chǎng)區(qū)域，在第一表面上依次形成n+前表面場(chǎng)層和磷硅玻璃層；在N型硅片的表面上分別形成鈍化層；在第二鈍化減反射膜層上分別制備正、負(fù)電極。上述太陽(yáng)電池及其制作方法，減小了光生載流子在背表面的橫向傳輸距離，提高了全背接觸太陽(yáng)電池的效率。