提高N型單晶硅片硼擴(kuò)散的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011485026.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112599410A | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112599410A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | H01L31/0288(2006.01)I;H01L21/228(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張圳;柳翠;袁曉;楊寧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海玻納電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 李鴻儒 |
| 地址 | 201102上海市閔行區(qū)平陽(yáng)路258號(hào)1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種提高N型單晶硅片硼擴(kuò)散的方法，包括：硅片預(yù)處理，將N型單晶硅片依次經(jīng)NaOH溶液拋光、RCA溶液清洗、HF溶液清洗，為后續(xù)處理做準(zhǔn)備；親水性金屬氧化物沉積，在清洗完后的N型單晶硅片上沉積10～30nm厚的親水性金屬氧化物；液態(tài)硼源旋涂，在親水性金屬氧化物襯底上旋涂液態(tài)硼源，并在熱臺(tái)上烘干；以及熱處理。親水金屬氧化物涂層一方面在硼擴(kuò)散過(guò)程中阻擋氧氣進(jìn)入硅基底，避免了二氧化硅在襯底表面的生成，幾乎消除了硼擴(kuò)散過(guò)程中在表面的偏析和富集現(xiàn)象，減緩了硼在硅表面區(qū)域濃度不均勻現(xiàn)象，提高了硼的擴(kuò)散濃度和深度；另一方面，液態(tài)硼源在親水性的金屬氧化物表面可以旋涂更加勻稱，很好的改善硅表面擴(kuò)散完后方阻不均勻的現(xiàn)象。?? |
