一種高穩(wěn)定性長壽命的膜電極制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010907738.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112030189A 公開（公告）日 2020-12-04
申請公布號 CN112030189A 申請公布日 2020-12-04
分類號 C25B11/10;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58;C25B1/04;C25B9/06 分類 電解或電泳工藝；其所用設備〔4〕;
發(fā)明人 田丙倫;劉士磊 申請（專利權）人 北京中氫源工程科技有限公司
代理機構 蘇州根號專利代理事務所（普通合伙） 代理人 仇波
地址 100000 北京市朝陽區(qū)?；萋繁背礁５赩中心E座416
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高穩(wěn)定性長壽命的膜電極制造方法，包括如下步驟：步驟S1、鈦片預處理：選擇鈦片作為濺射基底；對濺射基底進行超聲清洗，清洗流程為依次有機溶劑、乙醇和去離子水各超聲清洗10?20min；步驟S2、去除氧化膜：將經(jīng)過步驟S1預處理后的鈦片進行Ar轟擊以去除氧化膜；步驟S3；步驟S4、磁控濺射；步驟S5、將步驟S4的產(chǎn)物置于500~600℃退火得預制膜電極；步驟S6、取兩片所述預制膜電極，使其形成貴金屬的表面與質(zhì)子交換膜接觸，緊壓組裝即可。該制造方法簡單易行，操作控制方便，制備成本低廉，制備效率高，具有較高的推廣應用價值。