一種超高比表面積硼摻雜金剛石電極及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010390578.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111485223B 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN111485223B 申請公布日 2022-05-24
分類號 C23C16/27（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C25B11/091（2021.01）I;C25B1/13（2006.01）I;C02F1/461（2006.01）I;C02F1/72（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 魏秋平;馬莉;周科朝;王立峰;王寶峰;施海平 申請（專利權(quán)）人 南京岱蒙特科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙市融智專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 210000江蘇省南京市六合區(qū)龍池街道雄州南路399號2幢109號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超高比表面積硼摻雜金剛石電極及其制備方法與應(yīng)用，所述的硼摻雜金剛石電極包括襯底、電極工作層；所述電極工作層包裹在襯底表面，所述襯底為高比表面積多晶硅或單晶硅；所述電極工作層為硼摻雜金剛石層；所述高比表面積多晶硅是對多晶硅表面進(jìn)行各向異性刻蝕或/和各向同性刻蝕得到；所述高比表面積單晶硅是對單晶硅表面進(jìn)行各向異性刻蝕得到。所述硼摻雜金剛石層包括不同含硼量的硼摻雜金剛石高導(dǎo)電層、硼摻雜金剛石耐腐蝕層、硼摻雜金剛石強(qiáng)電催化活性層，相對于傳統(tǒng)的平板電極來說，本發(fā)明的硅基硼摻雜金剛石電極具有成本低、具有極高的比表面積，用較低的電流密度提供較大的電流強(qiáng)度，具有廣闊的應(yīng)用前景。