雙向導通的高壓高性能可編程半導體防浪涌保護器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110253966.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112820729A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112820729A 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石華平;黎威志;陳婷婷;黃江;陳德林;范榮榮 申請（專利權）人 江蘇友潤微電子有限公司
代理機構 南京蘇科專利代理有限責任公司 代理人 陳棟智
地址 225000 江蘇省揚州市邗江區(qū)西湖鎮(zhèn)甘泉生態(tài)科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙向導通的高壓高性能可編程半導體防浪涌保護器件，包括設置在基島上的芯片，芯片與基島外部框架通過鍵合絲相連，其特征在于，芯片包括成對設置的晶閘管、三極管以及二極管，晶閘管、三極管、二極管均設置有一對，且對稱設置有襯底上，兩三極管連接在一起、且位于襯底的中部，兩晶閘管和兩二極管對稱設置在兩三極管兩側，晶閘管采用均勻分布陰極短路點，并將門極孔開設在P+區(qū)上，晶閘管的門極通過鋁引線與三極管的發(fā)射極相連，本發(fā)明通過在晶閘管的采用均勻分布陰極短路點、并將門極孔開設在P+區(qū)上，從而增強了防浪涌能力，并提高了反向擊穿電壓，增強器件的性能。