一種3D結(jié)構(gòu)光940nm窄帶濾光片及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201911201173.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111638572B | 公開（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請公布號 | CN111638572B | 申請公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號 | G02B5/28(2006.01)I;G02B1/00(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 楊志民;孟慶宣 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州京浜光電科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州圓融專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭珊珊 |
| 地址 | 215501江蘇省蘇州市常熟經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高新技術(shù)園柳州路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種3D結(jié)構(gòu)光940nm窄帶濾光片及其制備方法，包括基底，所述基底一面交替蒸鍍有氧化硅層和氫化硅層，所述基底另一面交替蒸鍍有氧化硅層和氫化硅層，每一面所述氧化硅層和氫化硅層的總層數(shù)均設(shè)置為20?40層，每一面所述氧化硅層的厚度設(shè)置為1300?2000nm，每一面所述氫化硅層的厚度設(shè)置為400?800nm。本發(fā)明，得到濾光片可以使氫化硅的折射率達(dá)到控3.8?4.5，二氧化硅的折射率達(dá)到1.4?1.6，可以滿足大角度小偏移的要求；采用的膜系方案，波長定位準(zhǔn)確，陡度好；空間層采用高折射率的氫化硅材料，耦合層則用低折射率的二氧化硅材料，這樣角度效應(yīng)引起的偏移量比用低折射率材料要小。?? |
