熔斷式印刷存儲(chǔ)器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810116634.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108364669A | 公開（公告）日 | 2018-08-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108364669A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-08-03 |
| 分類號(hào) | G11C17/16;G11C17/18 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 郭小軍;朱璐瑤;周浩宇;李思瑩;張霞昌;陳蘇杰;張婕;孫俊峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州印刷電子產(chǎn)業(yè)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 常州印刷電子產(chǎn)業(yè)研究院有限公司 |
| 地址 | 213022 江蘇省常州市新北區(qū)太湖東路9-4號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及印刷存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種熔斷式印刷存儲(chǔ)器及其制備方法。所述熔斷式印刷存儲(chǔ)器，包括襯底和位于襯底表面的至少一個(gè)熔斷式器件；其中，所述熔斷式器件包括：熔斷功能材料層，設(shè)置于所述襯底表面，且所述熔斷功能材料層采用具有納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料制造而成；多個(gè)電極，設(shè)置于所述熔斷功能材料層表面，相鄰電極之間具有一間隙，由所述間隙暴露的所述熔斷功能材料層構(gòu)成熔斷功能區(qū)；隔熱封裝層，置于所述間隙中、且覆蓋所述熔斷功能區(qū)。本發(fā)明降低了熔斷式存儲(chǔ)器的熔斷電流，縮短了熔斷時(shí)間。 |
