一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610840694.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107863383A 公開（公告）日 2018-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN107863383A 申請(qǐng)公布日 2018-03-30
分類號(hào) H01L29/739;H01L21/331;H01L29/417;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宇柱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃智明
地址 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)華城路1668號(hào)國際工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有半封閉原胞的絕緣柵雙極型晶體管器件結(jié)構(gòu)，頂部包括有源溝槽和虛擬溝槽兩種溝槽；有源溝槽和虛擬溝槽組成半封閉的結(jié)構(gòu)；有源溝槽和虛擬溝槽之間有縫隙；所有溝槽都至少穿透了部分CS層到達(dá)N?漂移層，并在部分N?漂移層中延伸一段距離；CS層的上方是P型基區(qū)；P型基區(qū)上面還設(shè)有N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)，并通過接觸窗口和發(fā)射極電極相連。