一種絕緣柵雙極型晶體管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610010199.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106960867B 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN106960867B 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L29/06;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宇柱 申請（專利權(quán)）人 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃智明
地址 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)華城路1668號國際工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種絕緣柵雙極型晶體管，包括金屬集電極、P型集電極、N型場終止層和N?漂移區(qū)，晶體管頂部包括有源原胞和虛擬原胞，有源原胞和虛擬原胞通過溝槽柵分開，溝槽柵結(jié)構(gòu)由相互接觸的多晶硅柵電極和柵氧化層組成，有源原胞包括N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)，它們通過介質(zhì)層的窗口和金屬發(fā)射極相連，有源原胞和虛擬原胞都包含P型阱區(qū)，有源原胞內(nèi)的P型阱區(qū)通過P+接觸區(qū)和發(fā)射極電極相連，虛擬原胞內(nèi)的P型阱區(qū)是不連續(xù)的，而且其電位懸空。本發(fā)明在具有虛擬原胞的IGBT結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，把懸空P型深阱變成較淺的懸空P型阱區(qū)，而且懸空P型阱區(qū)不連續(xù)，從而提高器件的載流子濃度，獲得更低的正向飽和壓降，進(jìn)一步降低了工藝成本。