一種絕緣柵雙極型晶體管器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610346850.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107425056A | 公開(公告)日 | 2017-12-01 |
申請公布號 | CN107425056A | 申請公布日 | 2017-12-01 |
分類號 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李宇柱 | 申請(專利權)人 | 常州中明半導體技術有限公司 |
代理機構 | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 黃智明 |
地址 | 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟開發(fā)區(qū)華城路1668號國際工業(yè)城 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種絕緣柵雙極型晶體管,與現(xiàn)有技術相比較,溝槽中填充的多晶硅被介質層分隔成上多晶硅層和下多晶硅層,上多晶硅層和下多晶硅層分別和溝槽上部氧化層和溝槽下部氧化層相互接觸,上多晶硅層和柵極電極相連,下多晶硅層和發(fā)射極電極相連;溝槽中上多晶硅層的底部比有源原胞的P型阱區(qū)更深。本發(fā)明的結構降低了器件的米勒電容和開通能耗。 |
