一種增大溝槽的底部和頂部曲率半徑的工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610010198.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106960786A 公開（公告）日 2017-07-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN106960786A 申請(qǐng)公布日 2017-07-18
分類號(hào) H01L21/3065;H01L21/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宇柱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州中明半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃智明
地址 213200 江蘇省常州市金壇經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)華城路1668號(hào)國(guó)際工業(yè)城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增大溝槽的底部和頂部曲率半徑的工藝，先在半導(dǎo)體基板上形成第一層氧化硅和第一層氮化硅；然后通過光刻把第一層氧化硅和第一層氮化硅打開窗口；以第一層氧化硅和第一層氮化硅為掩膜，通過刻槽工藝，在半導(dǎo)體基板內(nèi)形成溝槽；然后，在半導(dǎo)體基板上形成第二層氧化硅和第二層氮化硅；通過各向異性刻蝕工藝去除大部分第二層氧化硅和第二層氮化硅，只在溝槽的側(cè)壁保留第二層氧化硅和第二層氮化硅；通過熱氧化工藝在溝槽的底部和頂部形成熱氧化層，增大了溝槽的底部和頂部的曲率半徑。